參數(shù)資料
型號(hào)： NGD18N40CLBT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
中文描述： 15 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： NGD18N40CLBT4
NGD18N40CLBT4
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(unless otherwise noted)
5 V
GATETOEMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0
40
6
10
4
2
I
C
0
60
20
30
50
8
1
3
5
7
0
40
6
10
4
2
I
C
0
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Output Characteristics
0
25
20
15
10
2
1
5
0
60
55
50
4
3
5
Figure 3. Output Characteristics
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
I
C
Figure 5. CollectortoEmitter Saturation
Voltage versus Junction Temperature
Figure 6. CollectortoEmitter Voltage versus
GatetoEmitter Voltage
60
V
GE
= 10 V
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
20
30
50
8
1
3
5
7
5 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 40
°
C
V
GE
= 10 V
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
2.5 V
T
J
= 150
°
C
6
7
8
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
2.5 V
0
40
6
10
4
2
I
C
0
60
20
30
50
8
1
3
5
7
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
T
J
= 150
°
C
V
GE
= 10 V
5 V
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
2.5 V
2.5
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
V
C
,
50
50
75
25
0
100
25
125
1.0
3.0
0.5
2.0
0.0
3.5
4.0
1.5
150
V
GE
= 5 V
I
C
= 25 A
I
C
= 20 A
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
2.5
C
3
6
7
5
8
4
9
1
0.5
2
0
3
1.5
10
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
V
CE
= 10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 40
°
C
T
J
= 25
°
C
45
40
35
30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NID5003N Self-Protected FET with Temperature and Current Limit(帶溫度和電流限制的自保護(hù)FET)
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