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參數資料
| 型號： | NE894M13 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | NE894M13 |
NE894M13
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
Note:
1. Gain Calculations:
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
FREQUENCY
GHz
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
33.43
30.64
28.79
27.51
26.40
25.49
24.65
23.93
23.24
22.61
16.74
13.31
11.92
10.17
8.47
7.02
5.75
4.65
3.71
2.90
2.22
MAG
0.634
0.601
0.559
0.515
0.451
0.417
0.369
0.351
0.337
0.279
0.266
0.262
0.255
0.237
0.259
0.300
0.347
0.392
0.425
0.433
ANG
- 14.2
- 30.0
- 43.3
- 55.3
- 67.4
- 77.1
- 84.8
- 92.2
- 98.6
-104.1
-137.6
-155.9
-175.2
170.3
161.9
151.8
139.9
129.8
117.8
106.1
99.2
MAG
21.168
19.847
18.259
16.598
14.913
13.497
12.240
11.177
10.239
9.431
5.194
3.616
2.787
2.259
1.936
1.731
1.571
1.439
1.303
1.170
1.080
ANG
166.5
154.5
144.2
135.6
127.5
121.5
116.5
112.3
108.5
105.2
83.8
69.6
57.5
47.6
39.8
32.0
24.6
17.8
12.0
8.7
7.5
MAG
0.010
0.017
0.024
0.029
0.034
0.038
0.042
0.045
0.049
0.052
0.084
0.123
0.168
0.217
0.276
0.344
0.418
0.493
0.555
0.600
0.648
ANG
85.7
75.7
70.8
67.6
64.9
63.7
63.5
63.2
63.5
63.9
70.4
74.0
74.7
73.9
72.7
69.3
64.4
58.5
52.3
47.5
44.1
MAG
0.945
0.890
0.826
0.763
0.676
0.621
0.572
0.539
0.510
0.481
0.363
0.345
0.373
0.439
0.483
0.499
0.505
0.508
0.535
0.573
0.581
ANG
- 10.0
- 18.5
- 25.6
- 31.2
- 33.5
- 37.1
- 39.6
- 41.3
- 42.9
- 43.9
- 52.7
- 64.5
- 79.7
- 89.6
- 93.7
-102.7
-114.4
-128.5
-144.5
-153.9
-157.6
NE894M13
V
C
= 2 V, I
C
= 10 mA
0.19
0.28
0.36
0.43
0.56
0.62
0.68
0.73
0.78
0.82
1.04
1.05
1.00
0.93
0.86
0.81
0.78
0.77
0.78
0.80
0.82
0.100 to 12.000 GHz by 0.050
j50
j25
j10
10
25
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
50
100
0
S
11
S
22
0.100 to 12.000GHz by 0.050
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
S
12
S
21
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE944 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94430 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94430-T2 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94433 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94433-T1B | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NE894M13-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE894M13-T3 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3V 0.035A 3-Pin LeadLess Mini-Mold T/R |
| NE894M13-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE8FAH | 功能描述:以太網和電信連接器 HORIZON PCB RECEPT ALL PLASTIC RoHS:否 制造商:Pulse 產品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點數量: 安裝風格:Through Hole 端口數量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級: |
| NE8FAH-0 | 功能描述:以太網和電信連接器 HORIZONTAL LATCHLESS ETHERCON A-SERIES RoHS:否 制造商:Pulse 產品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點數量: 安裝風格:Through Hole 端口數量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級: |
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