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參數(shù)資料
| 型號： | NE894M13 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | NE894M13 |
NE894M13
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
Note:
1. Gain Calculations:
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
FREQUENCY
GHz
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
30.55
27.54
25.75
24.50
23.57
22.79
22.09
21.50
20.94
20.46
16.27
11.97
10.08
9.28
7.44
5.89
4.56
3.45
2.56
1.84
1.28
MAG
0.772
0.747
0.715
0.677
0.612
0.575
0.544
0.517
0.493
0.474
0.383
0.362
0.355
0.352
0.339
0.359
0.394
0.432
0.466
0.489
0.489
ANG
- 11.0
- 24.6
- 36.5
- 47.7
- 59.5
- 68.8
- 76.9
- 84.6
- 91.3
- 97.3
-135.0
-155.9
-175.7
169.2
158.2
145.9
132.7
121.6
110.0
99.5
92.9
MAG
13.002
12.548
11.948
11.241
10.457
9.699
8.993
8.364
7.756
7.228
4.155
2.920
2.253
1.821
1.561
1.390
1.251
1.137
1.026
0.930
0.878
ANG
169.8
159.5
150.4
142.4
134.1
127.9
122.5
117.7
113.5
109.6
84.4
68.1
54.6
44.0
36.0
28.0
20.9
14.9
10.5
8.9
9.3
MAG
0.011
0.022
0.032
0.040
0.046
0.051
0.056
0.059
0.062
0.065
0.088
0.120
0.162
0.215
0.281
0.358
0.438
0.513
0.569
0.609
0.653
ANG
85.6
76.8
70.6
66.2
61.3
58.2
56.5
54.9
54.1
53.6
58.8
67.4
72.0
73.4
72.6
68.5
62.5
55.6
48.7
43.9
40.4
MAG
0.966
0.928
0.883
0.835
0.758
0.707
0.658
0.623
0.590
0.558
0.411
0.383
0.412
0.476
0.512
0.522
0.523
0.521
0.543
0.572
0.567
ANG
- 8.4
- 15.8
- 22.5
- 28.3
- 31.4
- 35.7
- 39.1
- 41.6
- 44.1
- 45.9
- 59.5
- 73.2
- 88.5
- 98.4
-103.6
-114.0
-127.0
-142.1
-157.6
-165.7
-168.8
NE894M13
V
C
= 1 V, I
C
= 5 mA
0.10
0.17
0.22
0.27
0.39
0.44
0.50
0.54
0.59
0.65
1.01
1.10
1.05
0.95
0.86
0.81
0.79
0.80
0.84
0.87
0.90
0.100 to 12.000 GHz by 0.050
j50
j25
j10
10
25
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
50
100
0
S
11
S
22
0.100 to 12.000GHz by 0.050
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
S
12
S
21
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE944 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94430 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94430-T2 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94433 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94433-T1B | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE894M13-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE894M13-T3 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3V 0.035A 3-Pin LeadLess Mini-Mold T/R |
| NE894M13-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE8FAH | 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 HORIZON PCB RECEPT ALL PLASTIC RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級: |
| NE8FAH-0 | 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 HORIZONTAL LATCHLESS ETHERCON A-SERIES RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級: |
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