參數(shù)資料
型號： NE94433
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管振蕩器和混合機
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： NE94433
NPN SILICON
OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE944
SERIES
FEATURES
LOW COST
HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
f
T
= 2000 MHz TYP
LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT:
C
C
r
b'b
= 5 ps TYP
LOW FEEDBACK CAPACITANCE:
C
RE
= 0.55 pF TYP
The NE944 series of NPN silicon epitaxial bipolar transistors
is intended for use in general purpose UHF oscillator and
mixer applications. It is suitable for automotive keyless entry
and TV tuner designs.
The device features stable oscillation and small frequency
drift during changes in the supply voltage and over the
ambient temperature range.
DESCRIPTION
PART NUMBER
EIAJ
1
REGISTERED NUMBER
PACKAGE CODE
PARAMETERS AND CONDITIONS
Collector Cutoff Current, V
CB
= 12 V, I
E
= 0
DC Current Gain, V
CE
= 10 V, I
C
= 5.0 mA
Collector Saturation Voltage, I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
Gain Bandwidth Product, V
CE
= 3 V, I
E
= 5 mA
Output Capacitance, V
CB
= 3 V, I
E
= 0 mA, f = 1.0 MHz
Collector to Base Time Constant, V
CE
= 3 V,
I
E
= -5.0 mA, f = 31.9 MHz
Feedback Capacitance, V
CB
= 10 V, I
E
= 0 mA, f = 1.0 MHz
Thermal Resistance, Junction to Case (infinite heat sink)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (free air)
Power Dissipation
NE94430
2SC4184
30
UNITS MIN
μ
A
NE94433
2SC3545
33
TYP
SYMBOLS
I
CBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
OB
C
C
r
b'b
TYP
MAX
0.1
200
0.5
MIN
MAX
0.1
250
0.5
2.0
40
100
50
100
V
GHz
pF
1.2
2.0
0.7
1.3
1.2
ps
pF
3.5
8.0
5.0
1.0
C
RE
0.55
R
TH (J-C)
R
TH (J-A)
P
T
°
C/W
°
C/W
mW
200
833
150
200
620
150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C)
Note:
1. Electronic Industrial Association of Japan.
California Eastern Laboratories
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE94433-T1B NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE960R200 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE961R200 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R500 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R575 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NE94433-T1B 功能描述:TRANS NPN OSC FT=2GHZ SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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NE94433-T1B-T44-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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