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參數(shù)資料
| 型號： | NE894M13 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | NE894M13 |
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. With device mounted on 1.08 cm
2
X 1.0 mm glass epoxy board.
SYMBOLS
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T2
T
J
T
STG
PARAMETERS
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
UNITS
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
RATINGS
9
3.0
1.5
35
105
150
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
T
t
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
R
r
(
REVERSE TRANSFR CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
150
125
100
75
50
25
0
Mounted on Glass epoxy PCB
(1.08 cm
x 1.0 mm (t) )
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
NE894M13
V
CE
= 1 V
100
10
1
0.1
0.001
0.0001
0.01
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
C
C
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
500
μ
A
150
μ
A
200
μ
A
250
μ
A
300
μ
A
350
μ
A
400
μ
A
450
μ
A
100
μ
A
I
B
= 500
μ
A
C
C
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE944 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94430 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94430-T2 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94433 | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
| NE94433-T1B | NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE894M13-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE894M13-T3 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3V 0.035A 3-Pin LeadLess Mini-Mold T/R |
| NE894M13-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE8FAH | 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 HORIZON PCB RECEPT ALL PLASTIC RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級: |
| NE8FAH-0 | 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 HORIZONTAL LATCHLESS ETHERCON A-SERIES RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級: |
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