| 型號(hào): | NE664M04 |
| 廠商: | NEC Corp. |
| 英文描述: | MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述: | 中功率NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 128K |
| 代理商: | NE664M04 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE664M04-T2 | MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE677M04 | NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE677M04-T2 | NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68035 | NONLINEAR MODEL |
| NE68119 | NONLINEAR MODEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE664M04-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE664M04-EVPW09 | 功能描述:放大器 IC 開發(fā)工具 For NE664M04-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:International Rectifier 產(chǎn)品:Demonstration Boards 類型:Power Amplifiers 工具用于評(píng)估:IR4302 工作電源電壓:13 V to 23 V |
| NE664M04-EVPW09-A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR - Boxed Product (Development Kits) |
| NE664M04-EVPW24 | 功能描述:放大器 IC 開發(fā)工具 For NE664M04-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:International Rectifier 產(chǎn)品:Demonstration Boards 類型:Power Amplifiers 工具用于評(píng)估:IR4302 工作電源電壓:13 V to 23 V |
| NE664M04-T2 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |