參數(shù)資料
型號(hào)： NE664M04
廠(chǎng)商： NEC Corp.
英文描述： MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 中功率NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 128K
代理商： NE664M04
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. Mounted on 38 x 38 mm, t = 0.4 mm polyimide PCB.
SYMBOLS
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
PARAMETERS
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
2
UNITS
V
V
V
mA
mW
RATINGS
13
5.0
1.5
500
735
T
J
Junction Temperature
°
C
150
T
STG
Storage Temperature
°
C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
PART NUMBER
NE664M04-T2
QUANTITY
3k pcs./reel
ORDERING INFORMATION
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS RATINGS
R
th j-a
1
R
th j-a
2
Junction to Ambient Resistance
1
Junction to Ambient Resistance
2
°
C/W
°
C/W
170
570
THERMAL RESISTANCE
Note:
1. Mounted on 38 x 38 mm, t = 0.4 mm polyimide PCB.
2. Stand alone device in free air.
NE664M04
APPLICATIONS
Bluetooth Power Class 1
f = 2.4 GHz
0 dBm
13 dBm
22 dBm
NE663M04
NE664M04
T80
R57
SS Cordless Phone
f = 2.4 GHz
20 dBm
26 dBm
NE664M04
R57
DCS1800 (GSM1800) Cellular Phone
f = 1.8 GHz
5 dBm
16 dBm
25 dBm
35 dBm
NE678M04
NE664M04
NE5520379A
(MOS FET)
A 3
9Z001
R55
R57
Cordless Phone
f = 0.9 GHz
3 dBm
9 dBm
25 dBm
NE68019
(3-pin TUSMM)
NE664M04
R57
TH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE664M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE677M04 NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE677M04-T2 NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68035 NONLINEAR MODEL
NE68119 NONLINEAR MODEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE664M04-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE664M04-EVPW09 功能描述:放大器 IC 開(kāi)發(fā)工具 For NE664M04-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:International Rectifier 產(chǎn)品:Demonstration Boards 類(lèi)型:Power Amplifiers 工具用于評(píng)估:IR4302 工作電源電壓:13 V to 23 V
NE664M04-EVPW09-A 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR - Boxed Product (Development Kits)
NE664M04-EVPW24 功能描述:放大器 IC 開(kāi)發(fā)工具 For NE664M04-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:International Rectifier 產(chǎn)品:Demonstration Boards 類(lèi)型:Power Amplifiers 工具用于評(píng)估:IR4302 工作電源電壓:13 V to 23 V
NE664M04-T2 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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