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參數(shù)資料
| 型號： | NE68119 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NONLINEAR MODEL |
| 中文描述： | 非線性模型 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | NE68119 |
Base
Emitter
Collector
L
BX
L
B
L
EX
L
E
L
CX
C
CBPKG
C
CB
C
CE
C
CEPKG
NONLINEAR MODEL
NE68119
SCHEMATIC
California Eastern Laboratories
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -10/98
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
2.7e-16
185.0
1.02
15.0
0.055
1.77e-11
2.1
1
1
Infinity
Infinity
0
2
0.6
12
3.7
1.2e-5
8
1.2e-12
0.77
0.5
0.8e-12
0.27
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
0.56
0
0
0.75
0
0.5
14.0e-12
3
25
0.1
0
0.3e-9
1.11
0
3
0
1
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
(1) Gummel-Poon Model
UNITS
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
0.05 to 3.0 GHz
V
CE
= 2.5 V to 8.0 V, I
C
= 0.3 mA to 10 mA
Q1
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
Parameters
C
CB
C
CE
L
B
L
E
C
CBPKG
C
CEPKG
L
BX
L
CX
L
EX
68119
0.07e-12
0.01e-12
1.13e-9
0.85e-9
0.18e-12
0.21e-12
0.19e-9
0.19e-9
0.19e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE681 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68100 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68118-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68119-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68130-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NE68119-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68119T1A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R 制造商:California Eastern Laboratories 功能描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R |
| NE68119-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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