參數(shù)資料
型號: NE6500379A
廠商: NEC Corp.
英文描述: 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET
中文描述: 3W升,S波段功率GaAs MESFET
文件頁數(shù): 4/8頁
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代理商: NE6500379A
4
NE6500379A
APPLICATION CIRCUIT EXAMPLE (Unit: mm)
Tantalum Condenser
100 F
Tantalum Condenser
47 F
Rg
1000 p
/4 OPEN STUB
λ
/4 OPEN STUB
λ
INPUT
OUTPUT
C1
3
32.5
5
5
19
13
1
1
6.5
4
50
LINE
/4 LINE
λ
C2
GND
Substrate: Teflon glass ( r = 2.6)
t = 0.8 mm
f = 1.9 GH
Z
VDS = 6 V
I
Dset
= 500 mA (RF OFF)
C1 = 30 pF
C2 = 30 pF
Rg = 30
2
6
4
4.5
25
2
5
8
2
4
4
4
3
3
1
5
5
3
VGS
VDS
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NE6500379A-T1 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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NE6500496 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6500496_00 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET