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參數(shù)資料
| 型號： | NE6500379A-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET |
| 中文描述： | 3W升，S波段功率GaAs MESFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | NE6500379A-T1 |
3
NE6500379A
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT AND GATE CURRENT vs. INPUT POWER
V
DS
= 6 V
I
Dset
= 500 mA (RF OFF)
R
g
= 30
f = 1.9 GH
Z
40
30
25
20
15
10
30
25
20
15
10
5
0
P
Pin [dBm]
–5
0
1500
1000
500
0
I
G
I
D
35
5
10
15
20
35
Pout
I
G
I
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE6500379A | 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NE650103M-A | 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
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