參數(shù)資料
型號(hào)： NDT455N(J23Z)
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 11.5AI（四）|的SOT - 223
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
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代理商： NDT455N(J23Z)
NDT455N Rev.F
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
40
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 11.5A
10V
15V
V = 5.V
DS
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
200
300
500
800
1000
2000
4000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms
.
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT455N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（11.5A，30V，0.015Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流11.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.015Ω）)
NDT456P(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SOT-223
NDT456 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT456P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDTD2412 ISOLATED 3W WIDE INPUT DUAL OUTPUT DC-DC CONVERTERS
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參數(shù)描述
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NDT456P(J23Z) 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SOT-223
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