參數(shù)資料
型號(hào)： NDT453N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（8A，30V，0.028Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流8A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.028Ω）)
中文描述： 8 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： NDT453N
NDT453N Rev. D1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.001
0.01
0.1
1
5
10
20
I
S
TJ
25°C
-55°C
V =0V
0
5
10
Q , GATE CHARGE (nC)
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
V
G
I = 8A
V = 5V
15V
10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
200
500
1000
1500
2000
2500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT454P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5.9A，-30V，0.05Ω）(P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-5.9A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
NDT454P(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-223
NDT454 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT455N(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | SOT-223
NDT455N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（11.5A，30V，0.015Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流11.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.015Ω）)
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參數(shù)描述
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