參數(shù)資料
型號： NDT453N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（8A，30V，0.028Ω）(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流8A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.028Ω）)
中文描述： 8 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 226K
代理商： NDT453N
NDT453N Rev. D1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
3.0
3.5
4.0
4.5
V =10V
5.0
6.0
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V =10V
I = 8A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
D
V = 3.5V
4.0
10
6.0
7.0
4.5
5.0
R
D
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
D
R
D
V = 10 V
TJ
25°C
-55°C
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Gate Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
5
10
15
20
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = 10V
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT454P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5.9A，-30V，0.05Ω）(P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流-5.9A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
NDT454P(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-223
NDT454 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT455N(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | SOT-223
NDT455N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（11.5A，30V，0.015Ω）(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流11.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.015Ω）)
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參數(shù)描述
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NDT454 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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