參數(shù)資料
型號： NDT452P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-3A，-30V，0.18Ω）(P溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流-3A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.18Ω）)
中文描述： 3 A, 30 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： NDT452P
NDT452P Rev. C3
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
D
B
D
I = -250μA
-2
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
GS
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -3A
V = -10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
100
200
300
500
700
1000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
D
S
-V
DD
R
L
V
OUT
V
GS
DUT
V
IN
R
GEN
G
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT452 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT452AP(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223
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NDT453N(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SOT-223
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參數(shù)描述
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