參數(shù)資料
型號： NDT451
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： NDT451
NDT451N Rev. C2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
I
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 5.5A
V = 10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
50
100
200
500
1000
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
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PDF描述
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