參數(shù)資料
型號(hào)： NDT451
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 226K
代理商： NDT451
NDT451N Rev. C2
0
1
2
3
0
6
12
18
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
6.05.04.5
4.0
3.0
3.5
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 10V
I = 5.5A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
3
6
9
12
15
18
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = 3.5V
10V
4.0V
6.0V
5.0V
4.5V
0
3
6
I , DRAIN CURRENT (A)
D
9
12
15
18
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
D
J
25°C
V = 10 V
-55°C
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = 10V
TJ
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PDF描述
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NDT452 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT452AP(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223
NDT452AP P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5A，-30V，0.065Ω）(P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-5A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.065Ω）)
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