參數(shù)資料
型號： NDT410EL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.1A，100V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流2.1A, 漏源電壓100V，導(dǎo)通電阻0.25Ω）)
中文描述： 2.1 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： NDT410EL
NDT410EL Rev. B1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
V = 0V
GS
TJ
25°C
-55°C
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
50V
I = 2.1A
V = 20V
80V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
10
50
100
200
300
500
1000
1300
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
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PDF描述
NDT410EL(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | SOT-223
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NDT451N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.5A，30V，0.05Ω）(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流5.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
NDT451 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDT451AN_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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