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參數資料
| 型號： | NDT410EL |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.1A，100V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型場效應管（漏電流2.1A, 漏源電壓100V，導通電阻0.25Ω）) |
| 中文描述： | 2.1 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | NDT410EL |
NDT410EL Rev. B1
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
6.0
5.0
4.0 3.5
2.5
V = 10V
3.0
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
1
1.5
2
2.5
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 5V
I = 2.1A
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
V
t
V = V
I = 250
μ
A
GS
0
2
4
6
8
10
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.0V
R
D
3.5
6.0
10
5.0
4.0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
25°C
-55°C
V = 5V
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Gate Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = 10V
TJ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT410EL(J23Z) | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | SOT-223 |
| NDT451AN | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（7.2A，30V，0.035Ω）(N溝道增強型場效應管（漏電流7.2A, 漏源電壓30V，導通電阻0.035Ω）) |
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| NDT451 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDT451AN(J23Z) | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-223 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NDT410EL(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | SOT-223 |
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| NDT451AN(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-223 |
| NDT451AN_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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