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參數(shù)資料
| 型號： | NDT3055L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道邏輯增強型場效應管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導通電阻0.1Ω）) |
| 中文描述： | 4 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | NDT3055L |
SOT-223 (FS PKG Code 47)
SOT-223 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Part Weight per unit (gram): 0.1246
September 1999, Rev. C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT3055 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道增強型場效應管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導通電阻0.1Ω）) |
| NDT410EL | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.1A，100V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型場效應管（漏電流2.1A, 漏源電壓100V，導通電阻0.25Ω）) |
| NDT410EL(J23Z) | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | SOT-223 |
| NDT451AN | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（7.2A，30V，0.035Ω）(N溝道增強型場效應管（漏電流7.2A, 漏源電壓30V，導通電阻0.035Ω）) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NDT3055L(J23Z) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3.7A I(D) | SOT-223 |
| NDT3055L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
| NDT3055L_Q | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDT3055LX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 4A SOT223 |
| NDT410EL | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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