參數(shù)資料
型號(hào)： NDT3055L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.1Ω）)
中文描述： 4 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 228K
代理商： NDT3055L
NDT3055L Rev.A1
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to- Source Voltage.
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
3.5V
5.0V
4.5V
4.0V
6.0V
3.0V
0
5
10
15
20
25
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 4.0V
10V
4.5V
6.0V
8.0V
5.0V
R
D
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and
Temperature.
2
4
6
8
10
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.24
0.28
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
25°C
I = 2A
T = 125°C
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 5V
J
125°C
25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
30
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
A
25°C
-55°C
V = 0V
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
V = 10 V
I = 4.0 A
R
D
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PDF描述
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