參數(shù)資料
型號： NDT3055L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.1Ω）)
中文描述： 4 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： NDT3055L
NDT3055L Rev.A1
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = 110 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0.1
0.3
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
4
10
30
60
10
20
50
100
200
500
1000
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 4A
V = 10V
30V
40V
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
60 100
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
50
I
D
1s
10s
DC
100ms
10ms
RDS(ON) LIMIT
1ms
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 110 C/W
T = 25°C
100us
0
0.01
0.1
1
10
100
300
20
40
60
80
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =110°C/W
T = 25°C
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PDF描述
NDT3055 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.1Ω）)
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NDT451N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.5A，30V，0.05Ω）(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流5.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
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NDT410EL 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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