參數(shù)資料
型號(hào)： NDT3055
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.1Ω）)
中文描述： 4 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 226K
代理商： NDT3055
NDT3055 Rev.B
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = 110 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0.1
0.3
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
4
10
30
60
10
20
50
100
200
500
1000
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
0
3
6
9
12
15
0
3
6
9
12
15
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 4A
V = 10V
40V
20V
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
60 100
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
50
I
D
1s
10s
DC
100ms
10ms
RDS(ON) LIMIT
1ms
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 110 C/W
T = 25°C
100us
0
0.01
0.1
1
10
100
300
20
40
60
80
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =110°C/W
T = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT410EL N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.1A，100V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.1A, 漏源電壓100V，導(dǎo)通電阻0.25Ω）)
NDT410EL(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | SOT-223
NDT451AN N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（7.2A，30V，0.035Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流7.2A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
NDT451N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.5A，30V，0.05Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流5.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
NDT451 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDT3055(J23Z) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223
NDT3055_J23Z 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDT3055-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDT Series N-Channel 60 V 0.1 O Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223
NDT3055L 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDT3055L(J23Z) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3.7A I(D) | SOT-223
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*