參數(shù)資料
型號： NDT3055
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.1Ω）)
中文描述： 4 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： NDT3055
NDT3055 Rev.B
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to- Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.4
0.8
1.2
1.6
2
D
V =10V
I = 4A
R
D
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
15
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V =10V
6.0V
4.5V
5.0V
7.0V
5.5V
8.0V
0
4
8
12
16
20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 5.5V
R
D
6.0V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 10V
T = -55°C
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
I
S
T = 125°C
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and
Temperature.
4
6
8
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
T = 25°C
T = 125°C
I = 2A
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