參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9955
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 3 A, 50 V, 0.13 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 196K
代理商： NDS9955
NDS9955 Rev.A
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R =
135
°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c. Transient
thermal response will change depending on the circuit board design.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
D
R
D
V = 10V
I = 3A
0.1
0.3
1
3
10
20
50
10
20
50
100
200
400
1000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C ss
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
100
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
I
D
RDS(ON)LMT
DC
1s
100ms
10ms
1ms
V =10V
SINGLE PULSE
R = 135°C/W
T = 25°C
JA
100us
0
0.01
0.1
1
10
100
300
10
20
30
40
50
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =135°C/W
T = 25°C
JA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS9956A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.7A，30V，0.08Ω）(雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流3.7A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.08Ω）)
NDS9956 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9957 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9958 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9959 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.0A，50V，0.3Ω）(雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.0A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
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參數(shù)描述
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