參數(shù)資料
型號： NDS9947
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 3.5 A, 20 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 342K
代理商： NDS9947
NDS9947.SAM
-15
-12
-9
-6
-3
0
0
2
4
6
8
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
125°C
V = -15V
F
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
20
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -20V
SINGLE PULSE
T = 25°C
1s
10s
DC
100ms
10ms
RDS(ON) LIMIT
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature
.
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1c
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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