參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9947
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 3.5 A, 20 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 342K
代理商： NDS9947
NDS9947.SAM
-5
-4
-3
-2
-1
0
-20
-15
-10
-5
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
-4.0
-6.0
-5.0
-4.5
-7.0
-5.5
-8.0
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -4.0V
-10
-6.0
-5.0
-4.5
-5.5
-8.0
-7.0
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Typical Electrical Characteristics
-20
-15
-10
-5
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
25°C
-55°C
V = -10V
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature.
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-10
-8
-6
-4
-2
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
J
25°C
125°C
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
D
V = -10V
I = -3.5A
R
D
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PDF描述
NDS9948 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9952A Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9953A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9955 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9956A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.7A，30V，0.08Ω）(雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流3.7A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.08Ω）)
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參數(shù)描述
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NDS9948 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
NDS9948_02 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 60V P-Channel PowerTrench MOSFET
NDS9948_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 60V P-Channel PowerTrench??? MOSFET
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