參數(shù)資料
型號： NDP6020P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 24 A, 20 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： NDP6020P
Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I
S
I
SM
V
SD
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
-24
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
-80
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= -12 A
(Note 1)
V
GS
= 0 V, I
= -24 A,
dI
F
/dt = 100 A/μs
-1.1
-1.3
V
t
rr
Reverse Recovery Time
60
ns
I
rr
THERMAL CHARACTERISTICS
Reverse Recovery Current
-1.7
A
R
θ
JC
R
θ
JA
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
Thermal Resistance, Junction-to-Case
2.5
°
C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
62.5
°
C/W
NDP6020P Rev.C1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NDP6020 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（52A,30V，0.00135Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流52A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.0135Ω）)
NDB6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-30A,-30V，0.042Ω）(P溝道邏輯增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流-30A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
NDB6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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