參數(shù)資料
型號(hào)： NDH8447
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 4400 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： NDH8447
NDH8447 Rev. C1
-3
-2
-1
0
-20
-15
-10
-5
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
-4.0
-5.0
-4.5
-3.5
-3.0
-6.0
-8.0
-20
-15
-10
-5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -3.5V
-10
-4.0
-8.0
-5.0
-4.5
-6.0
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -10V
I =-4.4A
R
D
-20
-15
-10
-5
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
25°C
-55°C
V = -10V
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
-5
-4
-3
-2
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-1
-15
-12
-9
-6
-3
0
I
D
V = -10V
J
25°C
125°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
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PDF描述
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