參數(shù)資料
型號： NDH834P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5.6A，-20V，0.035Ω）(P溝道增強型MOS場效應管（漏電流-5.6A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.035Ω）)
中文描述： 5600 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： NDH834P
NDH834P Rev.C
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.92
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
D
I = -250μA
B
D
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
15
-
25°C
-55°C
V = 0V
S
TJ
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-15V
I = -5.6A
-10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
150
300
500
1000
2000
3000
5000
-VDS
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and
Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
D
S
-V
DD
R
L
V
OUT
V
GS
DUT
V
IN
R
GEN
G
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms.
相關PDF資料
PDF描述
NDH8436 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDH8504P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.7A，-30V，0.07Ω）(雙P溝道增強型場效應管（漏電流-2.7A, 漏源電壓-30V，導通電阻0.07Ω）)
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參數(shù)描述
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