參數(shù)資料
型號(hào)： NDH834P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5.6A，-20V，0.035Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-5.6A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
中文描述： 5600 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 82K
代理商： NDH834P
NDH834P Rev.C
-3
-2
-1
0
-20
-15
-10
-5
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
-2.7
-2.5
-2.0
-1.5
-3.5
-3.0
V = -4.5V
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -4.5V
I = -5.6A
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
G
V
G
I = -250μA
V = V
GS
-20
-15
-10
-5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.0 V
R
D
-2.5
-4.5
-3.0
-3.5
-2.7
-20
-15
-10
-5
0
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -4.5V
J
25°C
-55°C
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
-15
-12
-9
-6
-3
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -5V
TJ
125°C
25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDH8436 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH8447 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDH8503N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.8A，30V，0.0033Ω）(雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流3.8A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.033Ω）)
NDH8504P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.7A，-30V，0.07Ω）(雙P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-2.7A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.07Ω）)
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NDH8447 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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NDH8503N 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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