參數(shù)資料
型號(hào)： NDH8320C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(雙N溝道和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N溝道：漏電流3A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.06Ω；P溝道：漏電流-2A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.13Ω）)
中文描述： 3000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 74K
代理商： NDH8320C
NDH8320C Rev.B
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = -250μA
B
D
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
4
10
-
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
300
500
800
1200
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 18. P-Channel Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 19. P-Channel Body Diode Forward
Voltage Variation with Current and
Temperature
.
Figure 20. P-Channel Capacitance Characteristics.
Figure 21. P-Channel Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
(continued)
-20
-15
-10
-5
0
0
2
4
6
8
10
12
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V = - 5V
DS
125°C
Figure 22. P-Channel Transconductance Variation
with Drain Current and Temperature.
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
-15V
I = -2A
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PDF描述
NDH8321C Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(雙N溝道和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N溝道：漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω；P溝道：漏電流-2.7A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.07Ω）)
NDH832P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-4.2A，-20V，0.06Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-4.2A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.06Ω）)
NDH833N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH834P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5.6A，-20V，0.035Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-5.6A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
NDH8436 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDH832P 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH833N 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH834P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH8436 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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