參數資料
型號： NDH8320C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(雙N溝道和P溝道增強型場效應管(N溝道：漏電流3A, 漏源電壓20V，導通電阻0.06Ω；P溝道：漏電流-2A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.13Ω）)
中文描述： 3000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數： 6/8頁
文件大小： 74K
代理商： NDH8320C
NDH8320C Rev.B
-5
-4
-3
-2
-1
0
-20
-16
-12
-8
-4
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -5.0V
GS
-3.0
-3.5
-2.5
-4.5
-4.0
-2.0
-2.7
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V =- 4.5V
I = -2A
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
V
G
I = -250μA
V = V
GS
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.5 V
R
D
-3.5
-3.0
-4.5
-4.0
-5.0
-2.7
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -4.5V
GS
J
25°C
-55°C
Typical Electrical Characteristics: P-Channel (continued)
Figure 12. P-Channel On-Region Characteristics.
Figure 13. P-Channel On-Resistance Variation with
Gate Voltage and Drain Current.
Figure 14. P-Channel On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 15. P-Channel On-Resistance Variation with
Drain Current and Temperature.
Figure 16. P-Channel Transfer Characteristics.
Figure 17. P-Channel Gate Threshold Variation
with Temperature.
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
-10
-8
-6
-4
-2
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
V = -5V
D
TJ
125°C
25°C
相關PDF資料
PDF描述
NDH8321C Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(雙N溝道和P溝道增強型場效應管(N溝道：漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導通電阻0.035Ω；P溝道：漏電流-2.7A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.07Ω）)
NDH832P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-4.2A，-20V，0.06Ω）(P溝道增強型MOS場效應管（漏電流-4.2A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.06Ω）)
NDH833N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH834P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5.6A，-20V，0.035Ω）(P溝道增強型MOS場效應管（漏電流-5.6A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.035Ω）)
NDH8436 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
NDH8321C 功能描述:MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH832P 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH833N 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH834P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH8436 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*