參數(shù)資料
型號： NDC7002
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 258K
代理商： NDC7002
NDC7002N.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.88
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
1.16
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.001
0.01
0.1
0.5
1
1.5
I
S
J
25°C
-55°C
V = 0V
0
0.2
0.4
Q , GATE CHARGE (nC)
0.6
0.8
1
1.2
0
2
4
6
8
10
V
G
I = 0.51A
V = 25V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
1
2
5
10
20
50
100
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 10V
TJ
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDC7002N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7003P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC ISOLATED RESISTOR NETWORK
NDF0610 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.18A，-60V，10Ω）(P溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流-0.18A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻10Ω）)
NDS0610 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.12A，-60V，10Ω）(P溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流-0.12A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻10Ω）)
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參數(shù)描述
NDC7002N 功能描述:MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC7002N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
NDC7002N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SUPERSOT-6
NDC7002N_Q 功能描述:MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC7002N_SB9G007 功能描述:MOSFET 50V DUAL N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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