參數(shù)資料
型號： NDC632P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 2700 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： NDC632P
NDC632P Rev. B1
-5
-4
-3
-2
-1
0
-15
-12
-9
-6
-3
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
-3.0
V =-5V
-3.5
-2.5
-2.0
-2.7
-4.0
-4.5
-15
-12
-9
-6
-3
0
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V =-2.5V
-2.7
R
D
-3.0
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -4.5V
I = -2.7A
R
D
-15
-12
-9
-6
-3
0
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V =-4.5 V
TJ
25°C
-55°C
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
-5
-4
-3
-2
-1
0
-15
-12
-9
-6
-3
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V =- 5V
DS
TJ
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = -250μA
D
V = V
GS
V
t
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
相關PDF資料
PDF描述
NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC652P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7001 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7001C Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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