參數(shù)資料
型號： NDB4050L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導通電阻0.10Ω）)
中文描述： 15 A, 50 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 68K
代理商： NDB4050L
NDP4050L Rev. B / NDB4050L Rev. C
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
25°C
F
V = 10V
125°C
Figure 13. Transconductance Variation with
Drain Current and Temperature
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.00005 0.0001
0.0005
0.001
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
00.00001
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 3.0 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
1
2
5
10
30
50
70
0.5
1
5
10
20
50
70
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
DC
RDS(ON) LIMIT
100us
1ms
10ms
50ms
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 3 C/W
T = 25°C
相關PDF資料
PDF描述
NDP4050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導通電阻0.10Ω）)
NDB4050 0 OHM 1% 1/20W SMT (0402) CHIP RES
NDP4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 650V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導通電阻0.10Ω）)
NDB4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導通電阻0.10Ω）)
NDP4060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導通電阻0.10Ω）)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NDB4060 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB4060L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NDB408A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB408AE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB408B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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