參數(shù)資料
型號： NDB4050L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
中文描述： 15 A, 50 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 68K
代理商： NDB4050L
NDP4050L Rev. B / NDB4050L Rev. C
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
6.0
5.0
4.5
3.5
4.0
3.0
2.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 5V
I = 7.5A
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
D
R
D
V = 3.0V
6.0
10
3.5
4.0
4.5
5.0
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
2.5
D
J
-55°C
V = 5 V
25°C
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
1
2
3
4
5
6
0
4
8
12
16
20
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
TJ
25°C
125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP4050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDB4050 0 OHM 1% 1/20W SMT (0402) CHIP RES
NDP4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 650V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDB4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDP4060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDB4060 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB4060L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NDB408A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB408AE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB408B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*