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參數(shù)資料
| 型號： | NDB4050L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導通電阻0.10Ω）) |
| 中文描述： | 15 A, 50 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | NDB4050L |
NDP4050L Rev. B / NDB4050L Rev. C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
1.125
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
0.5
1
5
10
20
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 7.5A
V = 12V
24V
48V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
20
50
100
200
500
1000
1500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics
(continued)
G
D
S
V
DD
R
GS
R
L
V
OUT
V
IN
DUT
R
V
GEN
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE W IDTH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NDB408A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB408AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB408B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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