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參數(shù)資料
| 型號： | NAND04GW3C2AN6F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 3V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 33/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 500K |
| 代理商： | NAND04GW3C2AN6F |
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NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
12 DC and AC parameters
Figure 13.
Command Latch AC Waveforms
Figure 14.
Address Latch AC Waveforms
ai12705
CL
E
W
AL
I/O
tCLHWH
tELWH
tWHCLL
tWHEH
tWLWH
tALLWH
tWHALH
Command
tDVWH
tWHDX
(CL Setup time)
(CL Hold time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(ALSetup time)
(AL Hold time)
H(E Setup time)
(E Hold time)
ai12706
CL
E
W
AL
I/O
tWLWH
tELWH
tWLWL
tCLLWH
tWHWL
tALHWH
tDVWH
tWLWL
tWLWH
tWHWL
tWHDX
tWHALL
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tWHALL
Adrress
cycle 1
tWHALL
(AL Setup time)
(AL Hold time)
Adrress
cycle 4
Adrress
cycle 3
Adrress
cycle 2
(CL Setup time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(E Setup time)
Adrress
cycle 5
tWLWL
tWLWH
tDVWH
tWHDX
tWHWL
tWHALL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2CN6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2CN6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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| NAND512R4A2CN6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NAND08GAH0FZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND08GAH0JZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND08GR3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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