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參數(shù)資料
| 型號： | NAND04GW3C2AN6F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 3V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 19/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 500K |
| 代理商： | NAND04GW3C2AN6F |
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6 Device operations
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
6.11
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and Device Code. To read these codes three steps
are required:
1.
One Bus Write cycle to issue the Read Electronic Signature command (90h)
2.
One Bus Write cycle to input the address (00h)
3.
Four Bus Read Cycles to sequentially output the data (as shown in Table 10: Electronic
Table 9.
Status Register Bits
Bit
Name
Logic Level
Definition
SR7
Write Protection
'1'
Not Protected
'0'
Protected
SR6(1)
Program/ Erase/ Read
Controller
'1'
P/E/R C inactive, device ready
'0'
P/E/R C active, device busy
Cache Ready/Busy
'1'
Cache Register ready (Cache Read only)
'0'
Cache Register busy (Cache Read only)
SR5
Program/ Erase/ Read
Controller(2)
'1'
P/E/R C inactive
'0'
P/E/R C active
SR4, SR3,
SR2, SR1
Reserved
Don’t Care
Generic Error
‘1’
Error – operation failed
‘0’
No Error – operation successful
1.
The SR6 bit and SR0 bit have a different meaning during Cache Read operations.
2.
Only valid for Cache Read operations, for other operations it is same as SR6.
Table 10.
Electronic Signature
Part Number
Byte/Word 1
Byte/Word 2
Byte 3
(see Table 11)
Byte 4
(see Table 12)
Manufacturer
Code
Device code
NAND04GA3C2A
20h
DCh
84h
25h
NAND04GW3C2A
20h
DCh
84h
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2CN6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2CN6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CN6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND04GW3C2BN6E | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND08GAH0BZA5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 169LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND08GAH0FZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND08GAH0JZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND08GR3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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