參數(shù)資料
型號： NAND04GW3C2AN6F
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 8 FLASH 3V PROM, 45 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 13/51頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： NAND04GW3C2AN6F
6 Device operations
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
Figure 6.
Random Data Output
6.4
Cache Read
The Cache Read operation is used to improve the read throughput by reading data using
the Cache Register. As soon as the user starts to read one page, the device automatically
loads the next page into the Cache Register.
An Cache Read operation consists of three steps (see Table 8):
1.
One bus cycle is required to setup the Cache Read command (the same as the
standard Read command).
2.
Five bus cycles are then required to input the Start Address (refer to Table 6).
3.
One bus cycle is required to issue the Cache Read confirm command to start the P/E/R
Controller.
The Start Address must be at the beginning of a page (Column Address = 000h, see Table
7.). This allows the data to be output uninterrupted after the latency time (tBLBH1), see
I/O
RB
Address
Inputs
ai08658b
Data Output
Busy
tBLBH1
(Read Busy time)
000h
Cmd
Code
30h
Address
Inputs
Data Output
05h
E0h
5 Add cycles
Main Area
Spare
Area
Col Add 1,2
Row Add 1,2,3
Cmd
Code
Cmd
Code
Cmd
Code
2Add cycles
Main Area
Spare
Area
Col Add 1,2
R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R3A2CN6E 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R3A2CN6F 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R3A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A2CN6F 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A2CZA6E 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND04GW3C2BN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND08GAH0BZA5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 169LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND08GAH0FZC5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND08GAH0JZC5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND08GR3B4CZL6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
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