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參數(shù)資料
| 型號： | MX29LV640BBXBC-12 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 11 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, MO-210, CSP-63 |
| 文件頁數(shù)： | 34/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 519K |
| 代理商： | MX29LV640BBXBC-12 |
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34
P/N:PM1076
REV. 1.2, SEP. 07, 2005
MX29LV640BT/BB
SWITCHING TEST CIRCUITS
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don't Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State(High Z)
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
SWITCHING TEST WAVEFORMS
TEST SPECIFICATIONS
Test Condition
Output Load
Output Load Capacitance, CL 30
(including jig capacitance)
Input Rise and Fall Times
Input Pulse Levels
Input timing measurement
reference levels
Output timing measurement
reference levels
90
120
Unit
1 TTL gate
100
pF
5
ns
V
V
0.0-3.0
1.5
1.5
V
DEVICE UNDER
TEST
DIODES=IN3064
OR EQUIVALENT
CL
6.2K ohm
2.7K ohm
3.3V
1.5V
1.5V
Measurement Level
3.0V
0.0V
OUTPUT
INPUT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29LV640BTC-12 | 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX29LV640BTC-12G | 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX29LV640BTC-90 | 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX29LV640BTC-90G | 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX29LV640BTI-12 | 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MX29LV640EBXEI-70G | 功能描述:IC FLASH PAR 64MB 70NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| MX29LV640EBXEI-70GTR | 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:MX29LV Series 3 V 64 Mb (8M x 8/4M x 16) 70 ns Parallel Flash - TFBGA-48 |
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