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參數(shù)資料
| 型號： | MX29LV640BBXBC-12 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 11 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, MO-210, CSP-63 |
| 文件頁數(shù)： | 14/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 519K |
| 代理商： | MX29LV640BBXBC-12 |
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14
P/N:PM1076
REV. 1.2, SEP. 07, 2005
MX29LV640BT/BB
Legend:
L=Logic LOW=V
IL
, H=Logic High=V
IH
, V
ID
=12.0
±
0.5V, X=Don't Care, A
IN
=Address IN, D
IN
=Data IN, D
OUT
=Data OUT
Notes:
1. The sector group protect and chip unprotect functions may also be implemented via programming equipment. See
the "Sector Group Protection and Chip Unprotect" section.
2. If WP#=VIL, the two outermost boot sectors remain protected. If WP#=VIH, the two outermost boot sector
protection depends on whether they were last protected or unprotect using the method described in "Sector/ Sector
Block Protection and Unprotect".
3. D
IN
or D
OUT
as required by command sequence, Data# polling or sector protect algorithm (see Figure 14).
Table 1. BUS OPERATION (1)
Q8~Q15
Operation
CE#
OE# WE#
RE-
WP#
ACC
Address
Q0~Q7 BYTE#
BYTE#
SET#
=VIH
=VIL
Read
L
L
H
H
L/H
X
A
IN
D
OUT
D
OUT
Q8-Q14=
High Z
Q15=A-1
Write (Program/Erase)
L
H
L
H
(Note 2)
X
A
IN
(Note 3) (Note 3)
Q8-Q14=
High Z
Q15=A-1
Accelerated Program
L
H
L
H
(Note 2)
V
HH
A
IN
(Note 3) (Note 3)
Q8-Q14=
High Z
Q15=A-1
Standby
VCC
±
X
X
VCC
±
H
H
X
High-Z
High-Z
High-Z
0.3V
0.3V
Output Disable
L
H
H
H
L/H
X
X
High-Z
High-Z
High-Z
Reset
X
X
X
L
L/H
X
X
High-Z
High-Z
High-Z
Sector Group Protect
L
H
L
V
ID
L/H
X
Sector Addresses, (Note 3)
X
X
(Note 2)
A6=L,A1=H,A0=L
Chip unprotect
L
H
L
V
ID
(Note 2)
X
Sector Addresses, (Note 3)
X
X
(Note 2)
A6=H, A1=H, A0=L
Temporary Sector
X
X
X
V
ID
(Note 2)
X
A
IN
(Note 3) (Note 3)
High-Z
Group Unprotect
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PDF描述 |
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