參數(shù)資料
型號： MX29LV640BBXBC-12
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
中文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA63
封裝： 11 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, MO-210, CSP-63
文件頁數(shù)： 26/69頁
文件大小： 519K
代理商： MX29LV640BBXBC-12
26
P/N:PM1076
REV. 1.2, SEP. 07, 2005
MX29LV640BT/BB
Table 4-1. CFI mode: Identification Data Values
(All values in these tables are in hexadecimal)
Description
Address h
(x16)
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
1A
Address h
(x8)
20
22
24
26
28
2A
2C
2E
30
32
34
Data h
Query-unique ASCII string "QRY"
0051
0052
0059
0002
0000
0040
0000
0000
0000
0000
0000
Primary vendor command set and control interface ID code
Address for primary algorithm extended query table
Alternate vendor command set and control interface ID code (none)
Address for secondary algorithm extended query table (none)
Table 4-2. CFI Mode: System Interface Data Values
Description
Address h
(x16)
1B
1C
1D
1E
1F
20
21
22
23
24
25
26
Address h
(x8)
36
38
3A
3C
3E
40
42
44
46
48
4A
4C
Data h
VCC supply, minimum (2.7V)
VCC supply, maximum (3.6V)
VPP supply, minimum (none)
VPP supply, maximum (none)
Typical timeout for single word/byte write (2
N
us)
Typical timeout for maximum size buffer write (2
N
us)
Typical timeout for individual block erase (2
N
ms)
Typical timeout for full chip erase (2
N
ms)
Maximum timeout for single word/byte write times (2
N
X Typ)
Maximum timeout for maximum size buffer write times (2
N
X Typ)
Maximum timeout for individual block erase times (2
N
X Typ)
Maximum timeout for full chip erase times (not supported)
0027
0036
0000
0000
0004
0000
000A
0000
0005
0000
0004
0000
Table 4-3. CFI Mode: Device Geometry Data Values
Description
Address h
(x16)
27
28
29
2A
2B
Address h
(x8)
4E
50
52
54
56
Data h
Device size (2
n
bytes)
Flash device interface code (02=asynchronous x8/x16)
0017
0002
0000
0000
0000
Maximum number of bytes in multi-byte write (not supported)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29LV640BTC-12 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV640BTC-12G 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV640BTC-90 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV640BTC-90G 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV640BTI-12 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MX29LV640EBTI-70G 功能描述:IC FLASH PAR 3V 64MB 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
MX29LV640EBXEI-70G 功能描述:IC FLASH PAR 64MB 70NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
MX29LV640EBXEI-70GTR 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:MX29LV Series 3 V 64 Mb (8M x 8/4M x 16) 70 ns Parallel Flash - TFBGA-48
MX29LV640EBXEI-90G 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:MX29LV Series 3 V 64 Mb (8M x 8/4M x 16) 90 ns Parallel Flash - TFBGA-48
MX29LV640ETTI-70G 功能描述:IC FLASH PAR 3V 64MB 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
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