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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX29F100TTA-90 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 64K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 706K |
| 代理商： | MX29F100TTA-90 |
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P/N:PM0548
MX29F100T/B
REV. 1.2, NOV. 12, 2001
COMMAND DEFINITIONS
Device operations are selected by writing specific ad-
dress and data sequences into the command register.
Writing incorrect address and data values or writing
them in the improper sequence will reset the device to
the read mode. Table 1 defines the valid register com-
mand sequences. Note that the Erase Suspend (B0H)
and Erase Resume (30H) commands are valid only
while the Sector Erase operation is in progress. Either
of the two reset command sequences will reset the
device(when applicable).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29F100TMC-55 | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100T | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TMC-12 | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TMC-70 | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F100TTC-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TTC-55 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TTC-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TTC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F1610 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2M x8/1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM |
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