- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380555 > MX29F100TTA-90 (MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD) 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MX29F100TTA-90 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 64K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 23/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 706K |
| 代理商： | MX29F100TTA-90 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當(dāng)前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁
23
P/N:PM0548
MX29F100T/B
REV. 1.2, NOV. 12, 2001
AC CHARACTERISTICS
TA = 0
o
C to 70
o
C, VCC = 5V
±
5% for MX29F100T/B-55
29F100T/B-55
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT CONDITIONS
tOES
OE setup time
0
ns
tCWC
Command programming cycle
70
ns
tCEP
WE programming pulse width
45
ns
tCEPH1
WE programming pluse width High
20
ns
tCEPH2
WE programming pluse width High
20
ns
tAS
Address setup time
0
ns
tAH
Address hold time
45
ns
tDS
Data setup time
20
ns
tDH
Data hold time
0
ns
tCESC
CE setup time before command write
0
ns
tDF
Output disable time (Note 1)
20
ns
tAETC
Total erase time in auto chip erase
3(TYP.)
24
s
tAETB
Total erase time in auto sector erase
1(TYP.)
8
s
tAVT
Total programming time in auto verify
7/12(TYP.)
210/360
us
tBAL
Sector address load time
100
us
tCH
CE Hold Time
0
ns
tCS
CE setup to WE going low
0
ns
tVLHT
Voltge Transition Time
4
us
tOESP
OE Setup Time to WE Active
4
us
tWPP1
Write pulse width for sector protect
10
us
tWPP2
Write pulse width for sector unprotect
12
ms
NOTES:
1. tDF defined as the time at which the output achieves the open circuit condition and data is no longer driven.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29F100TMC-55 | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100T | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TMC-12 | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TMC-70 | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TMC-90 | 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F100TTC-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TTC-55 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TTC-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F100TTC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F1610 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2M x8/1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。