參數(shù)資料
型號(hào)： MX29F100TTA-90
廠(chǎng)商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 64K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 24/47頁(yè)
文件大?。?/td> 706K
代理商： MX29F100TTA-90
24
P/N:PM0548
MX29F100T/B
REV. 1.2, NOV. 12, 2001
SWITCHING TEST CIRCUITS
SWITCHING TEST WAVEFORMS(I) for 29F100T/B-70, 29F100T/B-90, 29F100T/B-12
2.0V
2.4 V
0.45 V
0.8V
TEST POINTS
INPUT
2.0V
0.8V
OUTPUT
AC TESTING: Inputs are driven at 2.4V for a logic "1" and 0.45V for a logic "0".
Input pulse rise and fall times are < 10ns.
SWITCHING TEST WAVEFORMS(II) for 29F100T/B-55
3.0 V
0 V
1.5V
TEST POINTS
INPUT
1.5V
OUTPUT
AC TESTING: Inputs are driven at 3.0V for a logic "1" and 0V for a logic "0".
Input pulse rise and fall times are < 5ns.
DEVICE UNDER
TEST
DIODES=IN3064
OR EQUIVALENT
CL
1.2K ohm
1.6K ohm
+5V
CL=100pF Including jig capacitance for 29F100T/B-70, 29F100T/B-90, 29F100T/B-12
30pF Including jig capacitance for 29F100T/B-55
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29F100TMC-55 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F100T 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F100TMC-12 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F100TMC-70 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F100TMC-90 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MX29F100TTC-55 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F100TTC-70 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F100TTC-90 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F1610 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:16M-BIT [2M x8/1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM
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