參數(shù)資料
型號(hào)： MX29F100TTA-90
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 64K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 20/47頁
文件大?。?/td> 706K
代理商： MX29F100TTA-90
20
P/N:PM0548
MX29F100T/B
REV. 1.2, NOV. 12, 2001
AC CHARACTERISTICS
TA = 0
o
C to 70
o
C, -40
o
C to 125
o
C, VCC = 5V
±
10%(VCC = 5V
±
5% for 29F100T/B-55)
29F100T/B-70
29F100T/B-90 29F100T/B-12
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
(Note2)
(Note2)
tACC
Address to Output Delay
70
90
120
ns
CE=OE=VIL
tCE
CE to Output Delay
70
90
120
ns
OE=VIL
tOE
OE to Output Delay
40
40
50
ns
CE=VIL
tDF
OE High to Output Float
(
Note1)
0
20
0
30
0
30
ns
CE=VIL
tOH
Address to Output hold
0
0
0
ns
CE=OE=VIL
NOTE:
1. tDF is defined as the time at which the output achieves
the open circuit condition and data is no longer driven.
2. Automotive grade is only provided for MX29F100T/B-90
& MX29F100T/B-12
TEST CONDITIONS:
Input pulse levels: 0.45V/2.4V for 70ns max. ; 0V/3.0V
for 55ns
Input rise and fall times: < 10ns for 70ns max. ; < 5ns
for 55ns
Output load: 1 TTL gate + 100pF (Including scope and
jig) for 70ns max. ; 1 TTL gate + 30pF (Including scope
and jig) for 55ns
Reference levels for measuring timing: 0.8V & 2.0V for
70ns max. ; 1.5V for 55ns
AC CHARACTERISTICS
TA = 0
o
C to 70
o
C, VCC = 5V
±
5% for MX29F100T/B-55
29F100T/B-55
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
tACC
Address to Output Delay
55
ns
CE=OE=VIL
tCE
CE to Output Delay
55
ns
OE=VIL
tOE
OE to Output Delay
30
ns
CE=VIL
tDF
OE High to Output Float
(
Note1)
0
20
ns
CE=VIL
tOH
Address to Output hold
0
ns
CE=OE=VIL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29F100TMC-55 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
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MX29F100TMC-12 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F100TMC-70 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F100TMC-90 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
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