參數(shù)資料
型號(hào)： MX29F100TTA-90
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 64K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 21/47頁(yè)
文件大?。?/td> 706K
代理商： MX29F100TTA-90
21
P/N:PM0548
MX29F100T/B
REV. 1.2, NOV. 12, 2001
READ TIMING WAVEFORMS
DC CHARACTERISTICS
TA = 0
o
C to 70
o
C, -40
o
C to 125
o
C, VCC = 5V
±
10%(VCC = 5V
±
5% for 29F100T/B-55)
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
TYP
MAX.
UNIT
CONDITIONS
ICC1 (Read)
Operating VCC Current
40
mA
IOUT=0mA, f=5MHz
ICC2
50
mA
IOUT=0mA, F=10MHz
ICC3 (Program)
50
mA
In Programming
ICC4 (Erase)
50
mA
In Erase
ICCES
VCC Erase Suspend Current
2
mA
CE=VIH, Erase Suspended
COMMAND PROGRAMMING/DATA PROGRAMMING/ERASE OPERATION
NOTES:
1. VIL min. = -0.6V for pulse width is equal to or less than 20ns.
2. If VIH is over the specified maximum value, programming operation cannot be guranteed.
3. ICCES is specified with the device de-selected. If the device is read during erase suspend mode, current draw is the sum of
ICCES and ICC1 or ICC2.
4. All current are in RMS unless otherwise noted.
A0~15
CE
OE
tACC
WE
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
HIGH Z
HIGH Z
DATA Valid
tOE
tDF
tCE
DATA
Q0~7
tOH
ADD Valid
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PDF描述
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MX29F100TMC-70 1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY
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