參數(shù)資料
型號： MTW32N20E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts(32A,200V的功率MOSFET)
中文描述： 32 A, 200 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AE
封裝： CASE 340K-01, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： MTW32N20E
MTW32N20E
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
STYLE 1:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
R
P
A
K
V
F
D
G
U
L
E
0.25 (0.010)
M
T B
M
0.25 (0.010)
M
Y Q
S
J
H
C
4
1
2
3
–T–
–B–
–Y–
–Q–
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
P
Q
R
U
V
MIN
19.7
15.3
4.7
1.0
1.27 REF
2.0
5.5 BSC
2.2
0.4
14.2
5.5 NOM
3.7
3.55
5.0 NOM
5.5 BSC
3.0
MAX
20.3
15.9
5.3
1.4
MIN
0.776
0.602
0.185
0.039
0.050 REF
0.079
0.216 BSC
0.087
0.016
0.559
0.217 NOM
0.146
0.140
0.197 NOM
0.217 BSC
0.118
MAX
0.799
0.626
0.209
0.055
INCHES
MILLIMETERS
2.4
0.094
2.6
0.8
14.8
0.102
0.031
0.583
4.3
3.65
0.169
0.144
3.4
0.134
TO–247
CASE 340K–01
ISSUE C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTW8N60E Power MOSFET 8 Amps, 600 Volts N-Channel(8A，600V，N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
MUN2111T1 Bias Resistor Transistors(偏置電阻晶體管)
MUN2241T1 Bias Resistor Transistors(偏置電阻晶體管)
MUN2240T1 Bias Resistor Transistors(偏置電阻晶體管)
MUN2236T1 Bias Resistor Transistors(偏置電阻晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTW32N20EG 功能描述:MOSFET NFET T0247 200V 32A 75mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTW32N25 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM
MTW32N25E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM
MTW33N10E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM
MTW35N15E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 35 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.05 OHM
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