參數(shù)資料
型號(hào)： MTW32N20E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts(32A,200V的功率MOSFET)
中文描述： 32 A, 200 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AE
封裝： CASE 340K-01, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 98K
代理商： MTW32N20E
MTW32N20E
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
(
R
R
ID
0
100
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. . On–Region Characteristics
ID
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. . Transfer Characteristics
Figure 3. . On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. . On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. . On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. . Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
6 V
5 V
TJ = 25
°
C
8 V
80
60
40
20
0
2
4
6
8
10
50
ID
40
30
20
10
00
2
4
6
8
10
0.16
0.14
0.12
0.08
0.06
0.04
0.02
0
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
8
16
32
40
56
64
TJ = 100
°
C
25
°
C
-55
°
C
VGS = 10 V
0.1
0.09
0.08
0.050
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
8
16
24
32
40
48
TJ = 25
°
C
VGS = 10 V
2.5
2
1.5
1
0.5-50
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
-25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 10 V
ID = 16 A
1000
100
10
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0
50
100
150
200
VGS = 0 V
25
°
C
100
°
C
15 V
TJ = 125
°
C
VGS = 10 V
7 V
9 V
TJ = -55
°
C
25
°
C
100
°
C
VDS
≥
10 V
0.1
0
24
48
0.07
0.06
56
64
10000
2000
200
20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTW8N60E Power MOSFET 8 Amps, 600 Volts N-Channel(8A，600V，N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MUN2111T1 Bias Resistor Transistors(偏置電阻晶體管)
MUN2241T1 Bias Resistor Transistors(偏置電阻晶體管)
MUN2240T1 Bias Resistor Transistors(偏置電阻晶體管)
MUN2236T1 Bias Resistor Transistors(偏置電阻晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTW32N20EG 功能描述:MOSFET NFET T0247 200V 32A 75mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTW32N25 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM
MTW32N25E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM
MTW33N10E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM
MTW35N15E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 35 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.05 OHM
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